GaAs-kiekko tai GaAs-substraattikiekko. 2"GaAs-kiekko, 3"GaAs-kiekko, 4"GaAs-kiekko, 6"GaAs-kiekko

GaAs kiekko VCSEL:lle, GaAs kiekko LD:lle, GaAs kiekko LEDille, GaAs kiekko mikroelektroniikalle.

GaAs-substraattikiekot
KOHDE	Yksikkö	LD-sovellusten tekniset tiedot	LED-sovellusten tekniset tiedot	Mikroelektroniikan tekniset tiedot
Käytön tyyppi		n-tyyppinen	p-tyyppi/n-tyyppi	-
Crystal Growth Method		VGF	VGF	VGF
Seostusaine		Si	Zn/Si	Seostamaton
Halkaisija	tuumaa	2", 3", 4" ja 6"	2", 3", 4" ja 6"	2", 3", 4" ja 6"
Vohvelin suuntaus		(100)±0,1 astetta	(100)±0,5 astetta	(100)±0,5 astetta
OF/IF		USA tai EJ	USA tai EJ	US, EJ tai notch
Carriren keskittyminen	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Resistanssi (RT:ssä)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Liikkuvuus	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Etch Pit Density (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Lasermerkintä		Pyynnöstä	Pyynnöstä	Pyynnöstä
Paksuus	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	Pienempi tai yhtä suuri kuin 5	Pienempi tai yhtä suuri kuin 5	Pienempi tai yhtä suuri kuin 4
TTV (P/E)	μm	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10
Loimi	μm	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10	Pienempi tai yhtä suuri kuin 10
Pinta	Sivu 1 Sivu 2	Kiiltävä Kiillotettu/etsattu	Kiiltävä Kiillotettu/etsattu	Kiiltävä Kiillotettu/etsattu
Epi-valmis		Kyllä	Kyllä	Kyllä
Paketti		Kasetti tai yksittäinen kiekkosäiliö	Kasetti tai yksittäinen kiekkosäiliö	Kasetti tai yksittäinen kiekkosäiliö
* Kiekon paksuus ja suunta voidaan määrittää.