Germanium-yksikidevalmiste

■ Germanium-yksikide on valmistettu vyöhykesulavasta germaniumharkista raaka-aineena käyttäen CZ-menetelmää tai vertikaalista gradienttimenetelmää (VGF-menetelmä) ja muita menetelmiä.
■ CZ-menetelmä (CZ): Ennen kristallin vetämistä puhdistetaan kaikki laitteen osat, seoskvartsiupokas, erittäin puhdas germaniumharkko ja siemenkiteet. Erittäin puhdasta germaniumia lisätään yksikideuunin seoskvartsiupokkaaseen panostuksen ja seostuksen jälkeen, minkä jälkeen se imuroitetaan ja sulatetaan. Kiertävässä argonatmosfäärissä tehdään keinotekoista kristallilappua ja pyrstöä. Kiteen samanhalkaisijaisen kasvuprosessin aikana käytetään toimenpiteitä, kuten vetonopeuden, upokkaan ja siemenkiteen nopeuden säätelyä sekä teknologioita, kuten uunin lämpötilan ja yksittäiskiteen halkaisijan automaattinen säätö, jotta saadaan halkaisijaltaan tasalaatuisia tuotteita. Testauksen ja punnituksen jälkeen saadaan valmis germanium-yksikidekide.
■ Ripustetun vyöhykkeen sulatus- ja tasoitusmenetelmä: Uunina käytetään vaakasuuntaista kvartsiputkilämmitysuunia, joka voi tuottaa germaniumyksikiteitä tasaisella resistiivisellä.
■ Lisää kolmiarvoisia alkuaineita, kuten indiumia, galliumia ja booria erittäin puhtaaseen metalliseen germaniumiin saadaksesi p-tyypin germaniumia;
■ Lisää viisiarvoisia alkuaineita, kuten antimonia, arseenia ja fosforia, saadaksesi n-tyypin germaniumia.